碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，具有禁帶寬度寬（3.26 eV）、擊穿電場強(qiáng)度大（2.8 MV/cm）、飽和電子遷移速度快（2.2*10⁷cm/s）及熱導(dǎo)率高（3.3~4.9 W/（cm*K））等優(yōu)勢，可制備高壓、高溫、高頻器件并被廣泛應(yīng)用在新能源汽車、風(fēng)能、太陽能、智能電網(wǎng)、機(jī)車、下一代通訊甚至雷達(dá)、航海、航天等領(lǐng)域。目前市場上的功率器件絕大多數(shù)都可被SiC器件替代，尤其是在高壓大功率領(lǐng)域的器件。
 
  隨著社會的發(fā)展，人們對電子設(shè)備性能要求越來越高，為了滿足其要求，半導(dǎo)體行業(yè)中對SiC的需求也將會越來越多。從2019年至2025年，市場對SiC的需求量年增長率將會達(dá)到49%，SiC正在迎來它快速發(fā)展的階段。但是國內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)起步較晚，加上國外對中國關(guān)鍵技術(shù)和設(shè)備等方面的限制，國內(nèi)的SiC拋光片和高質(zhì)量SiC外延片，無論在質(zhì)量上還是尺寸上都較國外有一定差距，且產(chǎn)能和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗不足嚴(yán)重影響國產(chǎn)SiC材料的廣泛推廣應(yīng)用。
  普興公司有近60年的外延研究歷史和近20年的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)經(jīng)驗，掌握了多種外延控制方法，積累了大量的技術(shù)經(jīng)驗，為碳化硅外延材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化發(fā)展奠定了堅實的基礎(chǔ)。目前吳會旺博士帶領(lǐng)的以楊龍、李偉峰、李召勇為代表的碳化硅外延技術(shù)攻關(guān)團(tuán)隊，參考基礎(chǔ)工藝，進(jìn)行反復(fù)計算和理論模擬，從而建立了高速率外延生長體系并實驗驗證，通過優(yōu)化關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)，使得外延生長速率大幅度提升，為碳化硅外延的快速發(fā)展奠定了堅實的基礎(chǔ)。此外，與客戶聯(lián)合制定的三組高速率碳化硅外延樣片已經(jīng)完成各項參數(shù)測試，各項指標(biāo)均滿足規(guī)范要求，客戶已經(jīng)安排上線流片。碳化硅外延高速率生長工藝的應(yīng)用，可以將生產(chǎn)效率提高200%以上，大幅降低生產(chǎn)成本，為公司碳化硅外延產(chǎn)品擴(kuò)大市場份額提供了有力保障。
  化硅作為新興材料，在技術(shù)、工藝等方面有較大的提升空間，普興公司將繼續(xù)努力，大力發(fā)展碳化硅外延產(chǎn)業(yè)，通過技術(shù)提升、規(guī)模化生產(chǎn)，與產(chǎn)業(yè)鏈上下游聯(lián)合降低材料成本提高產(chǎn)品質(zhì)量，推動我國第三代半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。